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氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

一、氮化鎵介紹

作為新被發(fā)現(xiàn)的第三代半導(dǎo)體材料之一，氮化鎵（GaN）可以說是除了第一代半導(dǎo)體材料硅（Si）和第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）之后、最具備應(yīng)用前景的材料。

從元素組成的角度來說，氮化鎵（GaN）就是由Ga和N兩種元素組成的化合物，分別位于元素周期表的第三主族和第五主族，具備非常高的硬度、1700℃的高熔點(diǎn)和穩(wěn)定的相態(tài)。這是氮化鎵（GaN）材料的第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

二、耐高溫能力強(qiáng)

在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，寬禁帶半導(dǎo)體一般指的是半導(dǎo)體禁帶寬度超過2.3eV的材料，目前滿足這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的材料就包括氮化鎵（GaN）。此外，氮化鎵（GaN）的禁帶寬度也要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅（Si）和砷化鎵（GaAs），約為硅（Si）材料的3倍。這意味著氮化鎵（GaN）在高溫度和強(qiáng)輻射的情況下本征激發(fā)載流子的能力有限。看到這里估計(jì)很多人已經(jīng)看暈了，翻譯成我們?nèi)粘Ｄ芾斫獾囊馑季褪?mdash;—耐高溫能力強(qiáng)，這也是氮化鎵（GaN）材料被廣泛應(yīng)用在高溫功率器件的原因。

三、體積小

氮化鎵（GaN）材料還具備介電常數(shù)小的優(yōu)點(diǎn)。介電常數(shù)用來衡量設(shè)備本身的電容荷載，介電常數(shù)小則說明同等面積下設(shè)備的自身電容小，進(jìn)而說明設(shè)備的可使用面積能得到優(yōu)化，這也是解釋了為什么快充的體積由最初的大塊頭到如今的隱形眼鏡盒大小。

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